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STL90N10F7

厂商名称：ST意法半导体

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管,MOSFET,N通道,100 V,70 A,0.007 ohm,PowerFLAT,表面安装

英文描述：

N-channel 100 V,0.007 Ohm typ.,70 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

数据手册：

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STL90N10F7概述

STL90N10F7 N沟道功率MOSFET利用STripFET F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。

产品特性

市场上最低的RDS(on)

出色的品质因数（FoM）

低Crss/Ciss比，抗EMI

坚固的抗雪崩能力

产品应用

智能充电器和适配器

电视PSU

STL90N10F7中文参数

制造商:	STMicroelectronics	Id-连续漏极电流:	16 A
产品种类:	MOSFET	Rds On-漏源导通电阻:	10.5 mOhms
技术:	Si	Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
安装风格:	SMD/SMT	Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
封装 / 箱体:	PowerFLAT-5x6-8	Qg-栅极电荷:	39 nC
晶体管极性:	N-Channel	最小工作温度:	- 55 ℃
通道数量:	1 Channel	最大工作温度:	+ 175 ℃
Vds-漏源极击穿电压:	100 V	Pd-功率耗散:	5 W